掃描電鏡之樣品處理的要求，多熟悉SEM掃描電鏡對樣品處理要求對測試有很大的幫助，下面小編帶大家來看看都有哪些要求。

掃描電鏡的優(yōu)勢為可以直接觀察非常粗糙的樣品表面，參差起伏的材料原始斷口。但其劣勢為樣品須在真空環(huán)境下觀察，因此對樣品有一些特殊要求,籠統(tǒng)的講：干燥，無油，導電。
1、形貌形態(tài)，須耐高真空。

例如有些含水量很大的細胞，在真空中很快被抽干水分，細胞的形態(tài)也發(fā)生了改變，無法對各類型細胞進行區(qū)分；

2、樣品表面不能含有有機油脂類污染物。
油污在電子束作用下容易分解成碳氫化物，對真空環(huán)境造成很大污染。樣品表面細節(jié)被碳氫化合物遮蓋；碳氫化合物降低了成像信號產(chǎn)量；碳氫化合物吸附在電子束光路引起很大象散；碳氫化合物被吸附在探測器晶體表面，降低探測器效率。對低加速電壓的電子束干擾嚴重。

3、樣品須為干燥。
水蒸氣會加速電子槍陰極材料的揮發(fā)，從而大降低燈絲壽命；水蒸氣會散射電子束，增加電子束能量分散，從而加大色差，降低分辨能力。

4、樣品表面須導電。
在大多數(shù)情況下，初級電子束電荷數(shù)量都大于背散射電子和二次電子數(shù)量之和，因此多余的電子須導入地下，即樣品表面電位須保持在0電位。如果樣品表面不導電，或者樣品接地線斷裂，那么樣品表面靜電荷存在，使得表面負電勢不斷增加，出現(xiàn)充電效應，使圖像畸變，入射電子束減速，此時樣品如同一個電子平面鏡。

5、在某些情況下，樣品制備變成重要的考慮因素。
若要檢測觀察弱反差機理，就須消除強反差機理（例如，形貌反差），否則很難檢測到弱的反差。當希望EBSD背散射電子衍射反差，I和II型磁反差或其他弱反差機理時，磁性材料的磁疇特性須消除樣品的形貌。采用化學拋光，電解拋光等，產(chǎn)生一個幾乎消除形貌的鏡面。

特殊情況: 磁性材料，須退磁。